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《欢乐颂 2》 打了败仗,所有人设集体崩塌,溃不成军

2025-07-04 07:58:06

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1.再结晶过程描述能够引发材料发生再结晶的过程主要有两个,颂2所设集一个是热处理,另一个是热变形。在EBSD中,败仗观察再结晶图最方便的则为DefRex图,从该图中可以直接看出再结晶晶粒并读出其百分数。

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4.经典图片解析再结晶晶粒内部是没有位错的,有人而其周围可能具有很高的位错密度,且一般成等轴状。如果应变速率越小,体崩塌材料变形的时间较多,体崩塌再结晶有充分的时间发生,而在较大的应变速率下,虽然材料内部贮存了一定的变性能,但是由于应变时间短,再结晶来不及发生。图1 锻造TNM合金的DefRex图(笔者数据)再结晶涉及到大角度晶界的迁移,成军所以再结晶晶粒通常被大角度晶界所包裹,成军利用这一点就可以判断某晶粒是否为再结晶晶粒。

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回复一般带来相对均匀的微观结构变化,欢乐一般不涉及大角晶界(HAGBs)在变形晶粒之间的迁移。稳态再结晶晶粒尺寸(DS)与初始晶粒尺寸无关,颂2所设集而是与决定稳态流变应力的T和ε有关。

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在储存能量的驱动下,败仗HAGBs的形成和迁移在变形材料中形成新的晶粒结构,这个过程叫做再结晶。

低的γSFE会促进这种离解反应,有人阻碍位错的攀移和交叉滑移,即延缓DRV。(c)暴露60 分钟后,体崩塌从B点提取XRD数据的Rietveld精修。

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未经允许不得转载,颂2所设集授权事宜请联系[email protected]。此外,败仗研究发现SEI中的LiF具有与体相LiF不同的结构特征,包括较大的晶格参数和较小的晶粒尺寸(3nm)。




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